高速・高感度・大面積のマクロ観察ツール
ARCscan Series

RE-Type for ナノインプリント
ME-Type for ウェハ欠陥
RE-Type for パネル/プリント
ARCscan is the best way as Macro Monitoring for patterned substrate with high sensitivity and easy operation
APPLICATIONS

- NIL 開発評価・改善
- NILモールド/製品評価
- モールド状態管理(離形剤 経時変化等)
- ウェハデフォーカス評価・改善
- 凹凸フィルム(レンズ、格子等)
- 金属凹凸検査
KEY FEATURES
- エッジ反射光 (RE-Type)
- ムラ定量化機能搭載(鳥瞰図、エリアごとの輝度平均、標準変差 を表示)
- モールド劣化モニター機能搭載
- 超高感度モード搭載可(オプション)
MAIN SPECIFICATIONS
装置サイズ | 780mm(W) x 1200mm(D) x 1850mm(H) (ex. コンパクト筺体サイズ) |
---|---|
撮像領域 | 150mm□(コンパクト筺体タイプ) 300mm□(ワイド筺体タイプ) |
出力画像 | B/W 8bit出力 |
撮像速度 | Typ. 20mm/sec(反射光量に依存) |
搭載可能サンプル 厚 | t=~10.0mm(100μm以下の薄膜フィルムは、別途御相談) |

パターンムラの可視化



ARCscan is the best way as Macro Monitoring for patterned substrate with high sensitivity and easy operation
APPLICATIONS

- SiC・GaN 等製品評価
- ウェハー表面エッチピット検査
- ウェハーそり・うねり表面状態観察
- ウェハー(粗)研削後の表面状態観察
- シャロースクラッチの観察評価
- スリップ検査
KEY FEATURES
- オフアキシス光学系散乱光利用タイプ (ME-Type)
- ムラ定量化機能搭載(鳥瞰図、エリアごとの輝度平均、標準変差 を表示)
- スリップ欠陥等10nmレベルの欠陥を検出
- 超高感度モード搭載可 (オプション)
MAIN SPECIFICATIONS
装置サイズ | 780mm(W) x 1200mm(D) x 1850mm(H) (ex. コンパクト筺体サイズ) |
---|---|
撮像領域 | 150mm□(コンパクト筺体タイプ) 300mm□(ワイド筺体タイプ) |
出力画像 | B/W 8bit出力 |
撮像速度 | Typ. 20mm/sec(反射光量に依存) |
搭載可能サンプル 厚 | t=~10.0mm(100μm以下の薄膜フィルムは、別途御相談) |
<SiCウェハの欠陥>
ARCscan is the best way as Macro Monitoring for patterned substrate with high sensitivity and easy operation
APPLICATIONS

- TFTパターンムラ(斑点、デフォーカス、ピン跡、オーバーコート、基板表面パターン班、他)
- CFパターンムラ(BMパターン、スピンコート班、他)
- 有機EL基板
- 電子ペーパー
- フィルム(プリズム、マイクロレンズ、レンチキュラー、低反射シート、他)
- 太陽電池
KEY FEATURES
- エッジ反射光 (RE-Type)
- ムラ定量化機能搭載(鳥瞰図、エリアごとの輝度平均、標準変差を表示)
- モールド劣化モニター機能搭載
- 超高感度モード搭載可 (オプション)/li>
MAIN SPECIFICATIONS
装置サイズ | 780mm(W) x 1200mm(D) x 1850mm(H) (ex. コンパクト筺体サイズ) |
---|---|
撮像領域 | 150mm□(コンパクト筺体タイプ) 300mm□(ワイド筺体タイプ) |
出力画像 | B/W 8bit出力 |
撮像速度 | Typ. 20mm/sec(反射光量に依存) |
搭載可能サンプル 厚 | t=~10.0mm(100μm以下の薄膜フィルムは、別途御相談) |
※ 大型パネル、インラインについては別途ご相談



TFT パターンデフォーカスムラ

TFT ピン跡ムラ
複数のレイヤーの異なるパターン斑(ばらつき)を撮像条件を変えて検査

カラーフィルタのスピンコート斑

BMパターンのムラ検査