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可視光では見えないIC観察を、
驚異的な高分解能で観察できる走査型共焦点赤外レーザ顕微鏡。 |
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従来の赤外線顕微鏡では明瞭に観察できなかったフリップチップ実装後のICパターンの微小な傷、アライメントマークの正確な位置、バンプパッドの表面状態。
走査型共焦点赤外レーザ顕微鏡なら、高分解能、高倍率で観察。
さらにシリコン内部のギャップや段差計測も可能になりました。
MEMSの中空構造や接着面、SOIウエハのグラインド量測定にも有効。
これからの実装SiP技術やMEMS技術をサポートします。 |
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1310nmの半導体レーザでシリコンを透過し、フリップチップ実装後のICパターン観察が可能。 |
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さらなる共焦点光学系効果で中間フレア像を極限まで除去。従来とは比較にならない高コントラストでの観察が可能。 |
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シリコンの厚みを考慮した新設計の対物レンズを採用することにより、高倍率観察も可能。 |
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XYでの計測はもちろん、Z方向の計測も可能。COC実装におけるチップのギャップも高精度に計測。 |
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| 従来の赤外線顕微鏡像(BX51-IR) |
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走査型共焦点赤外レーザ顕微鏡像 |
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| フリップチップ実装のICパターン |
ウエハレベルCSP |
ボンディングパッド |
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